Справочник MOSFET. P8806BM

 

P8806BM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P8806BM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для P8806BM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P8806BM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  niko-sem
 p8806bm.pdf pdf_icon

P8806BM

N-Channel Enhancement Mode Field P8806BM NIKO-SEM Effect Transistor SOT-23 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID 60V 88m 2A G. GATE GD. DRAIN S. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25

Другие MOSFET... P5510EK , P5515BD , P5515BK , P5515BV , P7510ED , P7510EEU , P7510EK , P8010HK , IRF630 , P9006EDA , P9006EVA , P9515BD , PA010BV , PA110BEA , PA110ED , PA110HEA , PA110NK .

History: AM7431P | 50N06A | AP9475GM | SPP03N60S5 | 2N65E | FS10UM-9

 

 
Back to Top

 


 
.