P8806BM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P8806BM  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P8806BM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P8806BM даташит

 ..1. Size:255K  niko-sem
 p8806bm.pdf pdf_icon

P8806BM

Другие IGBT... P5510EK, P5515BD, P5515BK, P5515BV, P7510ED, P7510EEU, P7510EK, P8010HK, IRFP260N, P9006EDA, P9006EVA, P9515BD, PA010BV, PA110BEA, PA110ED, PA110HEA, PA110NK