PA010BV Todos los transistores

 

PA010BV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PA010BV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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PA010BV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  niko-sem
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PA010BV

PA010BV N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G100V 100m 3A G: GATE D: DRAIN S: SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25

 9.1. Size:781K  unikc
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PA010BV

PA010HKDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100m @VGS = 10V100V 9.1APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C9.1IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5.7IDM25Pulsed Drai

Otros transistores... P7510ED , P7510EEU , P7510EK , P8010HK , P8806BM , P9006EDA , P9006EVA , P9515BD , P55NF06 , PA110BEA , PA110ED , PA110HEA , PA110NK , PA110NV , PA410BTF , PA515BD , PA520BA .

History: HAF1004L | FQD2N100TM | BRCS2305MA | IXFE73N30Q | NTMFS4C302N | FDH34N40 | MP20N60EI

 

 
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