PA010BV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PA010BV
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de PA010BV MOSFET
PA010BV Datasheet (PDF)
pa010bv.pdf
PA010BV N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G100V 100m 3A G: GATE D: DRAIN S: SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25
pa010hk.pdf
PA010HKDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100m @VGS = 10V100V 9.1APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C9.1IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5.7IDM25Pulsed Drai
Otros transistores... P7510ED , P7510EEU , P7510EK , P8010HK , P8806BM , P9006EDA , P9006EVA , P9515BD , IRFB4115 , PA110BEA , PA110ED , PA110HEA , PA110NK , PA110NV , PA410BTF , PA515BD , PA520BA .
History: P9006EVA | SSM9918GJ
Liste
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