Справочник MOSFET. PA010BV

 

PA010BV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PA010BV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для PA010BV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PA010BV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  niko-sem
 pa010bv.pdf pdf_icon

PA010BV

PA010BV N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G100V 100m 3A G: GATE D: DRAIN S: SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25

 9.1. Size:781K  unikc
 pa010hk.pdf pdf_icon

PA010BV

PA010HKDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100m @VGS = 10V100V 9.1APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C9.1IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5.7IDM25Pulsed Drai

Другие MOSFET... P7510ED , P7510EEU , P7510EK , P8010HK , P8806BM , P9006EDA , P9006EVA , P9515BD , P55NF06 , PA110BEA , PA110ED , PA110HEA , PA110NK , PA110NV , PA410BTF , PA515BD , PA520BA .

History: 2SK2016 | AP10C325Y | AM1535CE | 2N7002SSGP | AP4451GYT-HF | TPW65R080C | AP2530AGY-HF

 

 
Back to Top

 


 
.