PA010BV datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PA010BV  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PA010BV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PA010BV даташит

 ..1. Size:289K  niko-sem
 pa010bv.pdf pdf_icon

PA010BV

PA010BV N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 100V 100m 3A G GATE D DRAIN S SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25

 9.1. Size:781K  unikc
 pa010hk.pdf pdf_icon

PA010BV

PA010HK Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100m @VGS = 10V 100V 9.1A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 9.1 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 5.7 IDM 25 Pulsed Drai

Другие IGBT... P7510ED, P7510EEU, P7510EK, P8010HK, P8806BM, P9006EDA, P9006EVA, P9515BD, 8205A, PA110BEA, PA110ED, PA110HEA, PA110NK, PA110NV, PA410BTF, PA515BD, PA520BA