PA515BD Todos los transistores

 

PA515BD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PA515BD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 73 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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PA515BD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  niko-sem
 pa515bd.pdf pdf_icon

PA515BD

N-Channel Enhancement Mode PA515BD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G150V 150m 11A 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 11 Continuous Drain Curr

Otros transistores... P9515BD , PA010BV , PA110BEA , PA110ED , PA110HEA , PA110NK , PA110NV , PA410BTF , STP75NF75 , PA520BA , PA567EA , PA567JA , PA597BA , PA5D8EA , PA5D8JA , PA5S6EA , PA5S6JA .

History: SHD218414B | NCE60NF730D | FDZ294N | BUK127-50DL | NCE60N370K | SPA08N80C3 | DMG3415UFY4

 

 
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