Справочник MOSFET. PA515BD

 

PA515BD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PA515BD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 73 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для PA515BD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PA515BD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  niko-sem
 pa515bd.pdf pdf_icon

PA515BD

N-Channel Enhancement Mode PA515BD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G150V 150m 11A 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 11 Continuous Drain Curr

Другие MOSFET... P9515BD , PA010BV , PA110BEA , PA110ED , PA110HEA , PA110NK , PA110NV , PA410BTF , STP75NF75 , PA520BA , PA567EA , PA567JA , PA597BA , PA5D8EA , PA5D8JA , PA5S6EA , PA5S6JA .

History: FC591301 | STB12N120K5 | HGN195N15S | NCE60NF730D | SSM3K310T | IXTY8N65X2 | RJK0660DPA

 

 
Back to Top

 


 
.