PA515BD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PA515BD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 73 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PA515BD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PA515BD даташит

 ..1. Size:250K  niko-sem
 pa515bd.pdf pdf_icon

PA515BD

N-Channel Enhancement Mode PA515BD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 150V 150m 11A 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 11 Continuous Drain Curr

Другие IGBT... P9515BD, PA010BV, PA110BEA, PA110ED, PA110HEA, PA110NK, PA110NV, PA410BTF, 7N65, PA520BA, PA567EA, PA567JA, PA597BA, PA5D8EA, PA5D8JA, PA5S6EA, PA5S6JA