PA567EA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PA567EA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.41 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.68 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm

Encapsulados: SOT-23-6

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PA567EA datasheet

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PA567EA

P-Channel Enhancement Mode PA567EA NIKO-SEM SOT-23-6 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 520m -0.68A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD Protecti

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PA567EA

Dual P-Channel Logic Level PA567JA NIKO-SEM Enhancement Mode Field Effect SOT-23-6 Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 520m -0.68A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Otros transistores... PA110BEA, PA110ED, PA110HEA, PA110NK, PA110NV, PA410BTF, PA515BD, PA520BA, IRFP250N, PA567JA, PA597BA, PA5D8EA, PA5D8JA, PA5S6EA, PA5S6JA, PA607UA, PA710ED