PA567EA - описание и поиск аналогов

 

PA567EA - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PA567EA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.68 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23-6
 

 Аналог (замена) для PA567EA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PA567EA технические параметры

 ..1. Size:260K  niko-sem
 pa567ea.pdf pdf_icon

PA567EA

P-Channel Enhancement Mode PA567EA NIKO-SEM SOT-23-6 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 520m -0.68A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD Protecti

 9.1. Size:268K  niko-sem
 pa567ja.pdf pdf_icon

PA567EA

Dual P-Channel Logic Level PA567JA NIKO-SEM Enhancement Mode Field Effect SOT-23-6 Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 520m -0.68A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Другие MOSFET... PA110BEA , PA110ED , PA110HEA , PA110NK , PA110NV , PA410BTF , PA515BD , PA520BA , IRF630 , PA567JA , PA597BA , PA5D8EA , PA5D8JA , PA5S6EA , PA5S6JA , PA607UA , PA710ED .

 

 
Back to Top

 


 
.