PA567EA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PA567EA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.68 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PA567EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PA567EA даташит

 ..1. Size:260K  niko-sem
 pa567ea.pdf pdf_icon

PA567EA

P-Channel Enhancement Mode PA567EA NIKO-SEM SOT-23-6 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 520m -0.68A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD Protecti

 9.1. Size:268K  niko-sem
 pa567ja.pdf pdf_icon

PA567EA

Dual P-Channel Logic Level PA567JA NIKO-SEM Enhancement Mode Field Effect SOT-23-6 Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 520m -0.68A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Другие IGBT... PA110BEA, PA110ED, PA110HEA, PA110NK, PA110NV, PA410BTF, PA515BD, PA520BA, IRFP250N, PA567JA, PA597BA, PA5D8EA, PA5D8JA, PA5S6EA, PA5S6JA, PA607UA, PA710ED