PB502CW Todos los transistores

 

PB502CW MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PB502CW
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 82 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN2X2S
 

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PB502CW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:387K  niko-sem
 pb502cw.pdf pdf_icon

PB502CW

N- & P-Channel Enhancement Mode Field PB502CW NIKO-SEM PDFN 2x2S Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID N-Channel 20V 30m 6A P-Channel -20V 75m -3.8A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize

Otros transistores... PA5D8EA , PA5D8JA , PA5S6EA , PA5S6JA , PA607UA , PA710ED , PA910BC , PA910BM , 8205A , PB5A2BX , PB5A3JW , PB5B5BX , PB5C5JW , PB5G8JW , PB600BX , PB606BX , PB6C4JU .

History: PMT280ENEA | IPAN60R800CE | NCE0115AK | 2SK1723 | RJK1008DPN | AP2C030LM | AM7433P

 

 
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