PB502CW datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PB502CW  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: PDFN2X2S

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PB502CW

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB502CW даташит

 ..1. Size:387K  niko-sem
 pb502cw.pdf pdf_icon

PB502CW

N- & P-Channel Enhancement Mode Field PB502CW NIKO-SEM PDFN 2x2S Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID N-Channel 20V 30m 6A P-Channel -20V 75m -3.8A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize

Другие IGBT... PA5D8EA, PA5D8JA, PA5S6EA, PA5S6JA, PA607UA, PA710ED, PA910BC, PA910BM, 13N50, PB5A2BX, PB5A3JW, PB5B5BX, PB5C5JW, PB5G8JW, PB600BX, PB606BX, PB6C4JU