Справочник MOSFET. PB502CW

 

PB502CW Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PB502CW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: PDFN2X2S
 

 Аналог (замена) для PB502CW

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB502CW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:387K  niko-sem
 pb502cw.pdf pdf_icon

PB502CW

N- & P-Channel Enhancement Mode Field PB502CW NIKO-SEM PDFN 2x2S Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID N-Channel 20V 30m 6A P-Channel -20V 75m -3.8A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize

Другие MOSFET... PA5D8EA , PA5D8JA , PA5S6EA , PA5S6JA , PA607UA , PA710ED , PA910BC , PA910BM , 8205A , PB5A2BX , PB5A3JW , PB5B5BX , PB5C5JW , PB5G8JW , PB600BX , PB606BX , PB6C4JU .

History: NCEP8818AS

 

 
Back to Top

 


 
.