FQP55N10 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

FQP55N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQP55N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 155 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: TO220

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FQP55N10 datasheet

..1. Size:666K fairchild semi
fqp55n10.pdf pdf_icon

August 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQP55N10 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 55A, 100V, RDS(on) = 0.026 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 75 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 130 pF) This advanced technology has been

8.1. Size:658K fairchild semi
fqp55n06.pdf pdf_icon

May 2001 TM QFET FQP55N06 60V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 55A, 60V, RDS(on) = 0.020 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 35 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 85 pF) This advanced technology has been especially tailored to

Otros transistores... FQP45N15V2, FQP46N15, FQP47P06, FQP4N80, IRFU220B, FQP4N90C, FQP4P40, FQP50N06L, IRFZ46N, FQP6N60C, FQP5N60C, FQPF5N50C, FQP65N06, FQP6N40C, FQU2N90, FQP6N40CF, FQU2N50B

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