Справочник MOSFET. FQP55N10

 

FQP55N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQP55N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 155 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 75 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FQP55N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP55N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:666K  fairchild semi
 fqp55n10.pdf pdf_icon

FQP55N10

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP55N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 55A, 100V, RDS(on) = 0.026 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 75 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 130 pF)This advanced technology has been

 8.1. Size:658K  fairchild semi
 fqp55n06.pdf pdf_icon

FQP55N10

May 2001TMQFETFQP55N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 55A, 60V, RDS(on) = 0.020 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 35 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 85 pF)This advanced technology has been especially tailored to

Другие MOSFET... FQP45N15V2 , FQP46N15 , FQP47P06 , FQP4N80 , IRFU220B , FQP4N90C , FQP4P40 , FQP50N06L , STP65NF06 , FQP6N60C , FQP5N60C , FQPF5N50C , FQP65N06 , FQP6N40C , FQU2N90 , FQP6N40CF , FQU2N50B .

History: FDS9431AF085 | RU7085R | CM1N70 | SML8090BN

 

 
Back to Top

 


 
.