PB5B5BX Todos los transistores

 

PB5B5BX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PB5B5BX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 188 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN2X2S
 

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PB5B5BX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  niko-sem
 pb5b5bx.pdf pdf_icon

PB5B5BX

P-Channel Enhancement Mode PB5B5BX NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 2x2S Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 22m -7.9A GG : GATE D : DRAIN S : SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS 12 V

Otros transistores... PA5S6JA , PA607UA , PA710ED , PA910BC , PA910BM , PB502CW , PB5A2BX , PB5A3JW , IRF9540N , PB5C5JW , PB5G8JW , PB600BX , PB606BX , PB6C4JU , PB6D2BX , PB6W8BX , PC015BDA .

History: H5N60F

 

 
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