PB5B5BX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PB5B5BX  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 188 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: PDFN2X2S

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PB5B5BX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB5B5BX даташит

 ..1. Size:250K  niko-sem
 pb5b5bx.pdf pdf_icon

PB5B5BX

P-Channel Enhancement Mode PB5B5BX NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 2x2S Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 22m -7.9A G G GATE D DRAIN S SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS 12 V

Другие IGBT... PA5S6JA, PA607UA, PA710ED, PA910BC, PA910BM, PB502CW, PB5A2BX, PB5A3JW, IRLB4132, PB5C5JW, PB5G8JW, PB600BX, PB606BX, PB6C4JU, PB6D2BX, PB6W8BX, PC015BDA