Справочник MOSFET. PB5B5BX

 

PB5B5BX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PB5B5BX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 188 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: PDFN2X2S
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PB5B5BX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  niko-sem
 pb5b5bx.pdf pdf_icon

PB5B5BX

P-Channel Enhancement Mode PB5B5BX NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 2x2S Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 22m -7.9A GG : GATE D : DRAIN S : SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS 12 V

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.