Справочник MOSFET. PB5B5BX

 

PB5B5BX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PB5B5BX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 188 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: PDFN2X2S
 

 Аналог (замена) для PB5B5BX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB5B5BX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  niko-sem
 pb5b5bx.pdf pdf_icon

PB5B5BX

P-Channel Enhancement Mode PB5B5BX NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 2x2S Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 22m -7.9A GG : GATE D : DRAIN S : SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS 12 V

Другие MOSFET... PA5S6JA , PA607UA , PA710ED , PA910BC , PA910BM , PB502CW , PB5A2BX , PB5A3JW , IRF9540N , PB5C5JW , PB5G8JW , PB600BX , PB606BX , PB6C4JU , PB6D2BX , PB6W8BX , PC015BDA .

History: FDS8874 | CEM2539A | S85N042RP | BSC014N04LSI

 

 
Back to Top

 


 
.