PB5G8JW Todos los transistores

 

PB5G8JW MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PB5G8JW
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 82 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN2X2S
     - Selección de transistores por parámetros

 

PB5G8JW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  niko-sem
 pb5g8jw.pdf pdf_icon

PB5G8JW

Dual N-Channel Enhancement PB5G8JW NIKO-SEM PDFN 2x2S Mode Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 35m 5A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products Int

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History: APQ02SN60A | FDB6690S | SIHP22N65E | 2SK2907-01 | RJK0629DPK | RUH1H130S | WMQ46N03T1

 

 
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