Справочник MOSFET. PB5G8JW

 

PB5G8JW Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PB5G8JW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: PDFN2X2S
 

 Аналог (замена) для PB5G8JW

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB5G8JW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  niko-sem
 pb5g8jw.pdf pdf_icon

PB5G8JW

Dual N-Channel Enhancement PB5G8JW NIKO-SEM PDFN 2x2S Mode Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 35m 5A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products Int

Другие MOSFET... PA710ED , PA910BC , PA910BM , PB502CW , PB5A2BX , PB5A3JW , PB5B5BX , PB5C5JW , TK10A60D , PB600BX , PB606BX , PB6C4JU , PB6D2BX , PB6W8BX , PC015BDA , PC015HVA , PC561BA .

History: NTB18N06G | IRF034 | BUK9K35-60E

 

 
Back to Top

 


 
.