PB5G8JW datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PB5G8JW  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: PDFN2X2S

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PB5G8JW

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB5G8JW даташит

 ..1. Size:355K  niko-sem
 pb5g8jw.pdf pdf_icon

PB5G8JW

Dual N-Channel Enhancement PB5G8JW NIKO-SEM PDFN 2x2S Mode Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 35m 5A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products Int

Другие IGBT... PA710ED, PA910BC, PA910BM, PB502CW, PB5A2BX, PB5A3JW, PB5B5BX, PB5C5JW, SPP20N60C3, PB600BX, PB606BX, PB6C4JU, PB6D2BX, PB6W8BX, PC015BDA, PC015HVA, PC561BA