PB6C4JU Todos los transistores

 

PB6C4JU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PB6C4JU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 111 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDFN2X3-6
 

 Búsqueda de reemplazo de PB6C4JU MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PB6C4JU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:461K  niko-sem
 pb6c4ju.pdf pdf_icon

PB6C4JU

Dual N-Channel Enhancement Mode PB6C4JU NIKO-SEM TDFN 2x3-6 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 19.5m 7A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products

Otros transistores... PB502CW , PB5A2BX , PB5A3JW , PB5B5BX , PB5C5JW , PB5G8JW , PB600BX , PB606BX , 4435 , PB6D2BX , PB6W8BX , PC015BDA , PC015HVA , PC561BA , PD515BA , PD551BA , PD5B3BA .

 

 
Back to Top

 


 
.