PB6C4JU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PB6C4JU  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 111 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm

Тип корпуса: TDFN2X3-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PB6C4JU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB6C4JU даташит

 ..1. Size:461K  niko-sem
 pb6c4ju.pdf pdf_icon

PB6C4JU

Dual N-Channel Enhancement Mode PB6C4JU NIKO-SEM TDFN 2x3-6 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 19.5m 7A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products

Другие IGBT... PB502CW, PB5A2BX, PB5A3JW, PB5B5BX, PB5C5JW, PB5G8JW, PB600BX, PB606BX, 20N50, PB6D2BX, PB6W8BX, PC015BDA, PC015HVA, PC561BA, PD515BA, PD551BA, PD5B3BA