Справочник MOSFET. PB6C4JU

 

PB6C4JU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PB6C4JU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 111 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm
   Тип корпуса: TDFN2X3-6
 

 Аналог (замена) для PB6C4JU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB6C4JU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:461K  niko-sem
 pb6c4ju.pdf pdf_icon

PB6C4JU

Dual N-Channel Enhancement Mode PB6C4JU NIKO-SEM TDFN 2x3-6 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 19.5m 7A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products

Другие MOSFET... PB502CW , PB5A2BX , PB5A3JW , PB5B5BX , PB5C5JW , PB5G8JW , PB600BX , PB606BX , 4435 , PB6D2BX , PB6W8BX , PC015BDA , PC015HVA , PC561BA , PD515BA , PD551BA , PD5B3BA .

History: NCEP8818AS

 

 
Back to Top

 


 
.