PD5B9BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PD5B9BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 116 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 140 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1038 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PD5B9BA

PD5B9BA Datasheet (PDF)

..1. Size:209K niko-sem
pd5b9ba.pdf

P-Channel Enhancement Mode PD5B9BANIKO-SEM TO-252Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID2 -30V 4.5m -116A DGFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Application

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Liste

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