PD5B9BA - аналоги и даташиты транзистора

 

PD5B9BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PD5B9BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 116 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1038 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для PD5B9BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD5B9BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  niko-sem
 pd5b9ba.pdf pdf_icon

PD5B9BA

P-Channel Enhancement Mode PD5B9BANIKO-SEM TO-252Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID2 -30V 4.5m -116A DGFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Application

Другие MOSFET... PB6D2BX , PB6W8BX , PC015BDA , PC015HVA , PC561BA , PD515BA , PD551BA , PD5B3BA , IRF1407 , PD5C1BA , PD5C9BA , PD5E8BA , PD5G3EA , PD5P8BA , PD600BA , PD601CX , PD606BA .

History: OSG70R600AF | PC015BDA | UTM6016G-TN3-R | 60NM60G-T3P | GSM3015S | AP3P7R0EMT | PMDPB85UPE

 

 
Back to Top

 


 
.