PD5B9BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PD5B9BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 116 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1038 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PD5B9BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD5B9BA даташит

 ..1. Size:209K  niko-sem
 pd5b9ba.pdf pdf_icon

PD5B9BA

P-Channel Enhancement Mode PD5B9BA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID2 -30V 4.5m -116A D G Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Application

Другие IGBT... PB6D2BX, PB6W8BX, PC015BDA, PC015HVA, PC561BA, PD515BA, PD551BA, PD5B3BA, NCEP15T14, PD5C1BA, PD5C9BA, PD5E8BA, PD5G3EA, PD5P8BA, PD600BA, PD601CX, PD606BA