PD5C1BA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PD5C1BA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 91 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 830 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm

Encapsulados: TO-252

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de PD5C1BA MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PD5C1BA datasheet

 ..1. Size:515K  niko-sem
 pd5c1ba.pdf pdf_icon

PD5C1BA

P-Channel Enhancement Mode PD5C1BA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -40V 5.6m -91A D G Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Application

Otros transistores... PB6W8BX, PC015BDA, PC015HVA, PC561BA, PD515BA, PD551BA, PD5B3BA, PD5B9BA, STP80NF70, PD5C9BA, PD5E8BA, PD5G3EA, PD5P8BA, PD600BA, PD601CX, PD606BA, PD608BA