PD5C1BA - аналоги и даташиты транзистора

 

PD5C1BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PD5C1BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 91 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 138 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 830 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD5C1BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:515K  niko-sem
 pd5c1ba.pdf pdf_icon

PD5C1BA

P-Channel Enhancement Mode PD5C1BA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -40V 5.6m -91A DGFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Application

Другие MOSFET... PB6W8BX , PC015BDA , PC015HVA , PC561BA , PD515BA , PD551BA , PD5B3BA , PD5B9BA , 13N50 , PD5C9BA , PD5E8BA , PD5G3EA , PD5P8BA , PD600BA , PD601CX , PD606BA , PD608BA .

History: STP3N90 | HUF76633S3S

 

 
Back to Top

 


 
.