PD5E8BA Todos los transistores

 

PD5E8BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PD5E8BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de PD5E8BA MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PD5E8BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:314K  niko-sem
 pd5e8ba.pdf pdf_icon

PD5E8BA

N-Channel Enhancement Mode PD5E8BA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G30V 45m 16A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25

Otros transistores... PC015HVA , PC561BA , PD515BA , PD551BA , PD5B3BA , PD5B9BA , PD5C1BA , PD5C9BA , 18N50 , PD5G3EA , PD5P8BA , PD600BA , PD601CX , PD606BA , PD608BA , PD609CX , PD616BA .

History: SIHA25N50E | 2SK2074 | APQ110SN5EA | AUIRFR2307ZTR | BRCS250N10SDP | 36N06 | CXDM3069N

 

 
Back to Top

 


 
.