PD5E8BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PD5E8BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PD5E8BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD5E8BA даташит

 ..1. Size:314K  niko-sem
 pd5e8ba.pdf pdf_icon

PD5E8BA

N-Channel Enhancement Mode PD5E8BA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 30V 45m 16A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25

Другие IGBT... PC015HVA, PC561BA, PD515BA, PD551BA, PD5B3BA, PD5B9BA, PD5C1BA, PD5C9BA, CS150N04A8, PD5G3EA, PD5P8BA, PD600BA, PD601CX, PD606BA, PD608BA, PD609CX, PD616BA