Справочник MOSFET. PD5E8BA

 

PD5E8BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PD5E8BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для PD5E8BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD5E8BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:314K  niko-sem
 pd5e8ba.pdf pdf_icon

PD5E8BA

N-Channel Enhancement Mode PD5E8BA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G30V 45m 16A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25

Другие MOSFET... PC015HVA , PC561BA , PD515BA , PD551BA , PD5B3BA , PD5B9BA , PD5C1BA , PD5C9BA , 18N50 , PD5G3EA , PD5P8BA , PD600BA , PD601CX , PD606BA , PD608BA , PD609CX , PD616BA .

History: 5N65G-TN3-R | NCE60N1K0R | AOI600A60 | IPB60R160C6 | SSM5N16FE | FDMA86108LZ

 

 
Back to Top

 


 
.