PD5G3EA Todos los transistores

 

PD5G3EA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PD5G3EA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 81 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 92 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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PD5G3EA datasheet

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PD5G3EA

P-Channel Enhancement Mode PD5G3EA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 8m -81A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products Integrate... See More ⇒

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