PD5G3EA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PD5G3EA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 81 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 92 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PD5G3EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD5G3EA даташит

 ..1. Size:271K  niko-sem
 pd5g3ea.pdf pdf_icon

PD5G3EA

P-Channel Enhancement Mode PD5G3EA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 8m -81A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products Integrate

Другие IGBT... PC561BA, PD515BA, PD551BA, PD5B3BA, PD5B9BA, PD5C1BA, PD5C9BA, PD5E8BA, IRFP250, PD5P8BA, PD600BA, PD601CX, PD606BA, PD608BA, PD609CX, PD616BA, PD618BA