Справочник MOSFET. PD5G3EA

 

PD5G3EA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PD5G3EA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 81 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 92 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для PD5G3EA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD5G3EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  niko-sem
 pd5g3ea.pdf pdf_icon

PD5G3EA

P-Channel Enhancement Mode PD5G3EA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 8m -81A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products Integrate

Другие MOSFET... PC561BA , PD515BA , PD551BA , PD5B3BA , PD5B9BA , PD5C1BA , PD5C9BA , PD5E8BA , 10N65 , PD5P8BA , PD600BA , PD601CX , PD606BA , PD608BA , PD609CX , PD616BA , PD618BA .

History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T | UT30P04

 

 
Back to Top

 


 
.