Справочник MOSFET. PD5G3EA

 

PD5G3EA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PD5G3EA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 81 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 92 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PD5G3EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  niko-sem
 pd5g3ea.pdf pdf_icon

PD5G3EA

P-Channel Enhancement Mode PD5G3EA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 8m -81A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products Integrate

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NCE65T360I | SVF4N150PF | 2SK2137 | STP6NK60Z | IRFH8324PBF | BUZ71A | STB200N6F3

 

 
Back to Top

 


 
.