PD676BA Todos los transistores

 

PD676BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PD676BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 705 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de PD676BA MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PD676BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  niko-sem
 pd676ba.pdf pdf_icon

PD676BA

N-Channel Enhancement Mode PD676BA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D40V 2.9m 133A G1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 2

Otros transistores... PD5P8BA , PD600BA , PD601CX , PD606BA , PD608BA , PD609CX , PD616BA , PD618BA , 75N75 , PD6A4BA , PD6A6BA , PD6B2BA , PD6D2BA , PE527BA , PE532DX , PE533BA , PE551BA .

History: AP09N70P-H-LF | OSG70R420DEF | BLP12N10G-U | BSC018NE2LS | NTMFS5C682NL | PD609CX | HSK0008

 

 
Back to Top

 


 
.