PD676BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PD676BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 59 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 705 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PD676BA

PD676BA Datasheet (PDF)

..1. Size:237K niko-sem
pd676ba.pdf

N-Channel Enhancement Mode PD676BA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D40V 2.9m 133A G1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 2

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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