PD676BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PD676BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 705 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PD676BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD676BA даташит

 ..1. Size:237K  niko-sem
 pd676ba.pdf pdf_icon

PD676BA

N-Channel Enhancement Mode PD676BA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 40V 2.9m 133A G 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 2

Другие IGBT... PD5P8BA, PD600BA, PD601CX, PD606BA, PD608BA, PD609CX, PD616BA, PD618BA, STP65NF06, PD6A4BA, PD6A6BA, PD6B2BA, PD6D2BA, PE527BA, PE532DX, PE533BA, PE551BA