PD676BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PD676BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 705 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для PD676BA
PD676BA Datasheet (PDF)
pd676ba.pdf

N-Channel Enhancement Mode PD676BA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D40V 2.9m 133A G1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 2
Другие MOSFET... PD5P8BA , PD600BA , PD601CX , PD606BA , PD608BA , PD609CX , PD616BA , PD618BA , 75N75 , PD6A4BA , PD6A6BA , PD6B2BA , PD6D2BA , PE527BA , PE532DX , PE533BA , PE551BA .
History: STY100NM60N | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | CHM3120PAGP | LSB55R140GF | BRCS150C016YN
History: STY100NM60N | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | CHM3120PAGP | LSB55R140GF | BRCS150C016YN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement