PE5B1DZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PE5B1DZ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 69 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 198 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3X3S
Búsqueda de reemplazo de PE5B1DZ MOSFET
PE5B1DZ Datasheet (PDF)
pe5b1dz.pdf

Dual P-Channel Enhancement Mode PE5B1DZ NIKO-SEM PDFN 3x3S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 16m -37A Features Patent Pending. Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Applications Protection Circuits Application
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Liste
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