Справочник MOSFET. PE5B1DZ

 

PE5B1DZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PE5B1DZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 198 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3S
 

 Аналог (замена) для PE5B1DZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE5B1DZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:291K  niko-sem
 pe5b1dz.pdf pdf_icon

PE5B1DZ

Dual P-Channel Enhancement Mode PE5B1DZ NIKO-SEM PDFN 3x3S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 16m -37A Features Patent Pending. Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Applications Protection Circuits Application

Другие MOSFET... PD6B2BA , PD6D2BA , PE527BA , PE532DX , PE533BA , PE551BA , PE561BA , PE597BA , IRF730 , PE5B5DX , PE5B7BA , PE5C6JZ , PE5E6BA , PE5F7EA , PE5G5EA , PE5M6EA , PE5Q8JZ .

History: UTD413 | STF28NM50N | CJBM3020 | UPA1918 | TT8K11 | HGK020N10S | SVF18NE50PN

 

 
Back to Top

 


 
.