PE5B1DZ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PE5B1DZ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 198 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3S

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PE5B1DZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE5B1DZ даташит

 ..1. Size:291K  niko-sem
 pe5b1dz.pdf pdf_icon

PE5B1DZ

Dual P-Channel Enhancement Mode PE5B1DZ NIKO-SEM PDFN 3x3S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 16m -37A Features Patent Pending. Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Applications Protection Circuits Application

Другие IGBT... PD6B2BA, PD6D2BA, PE527BA, PE532DX, PE533BA, PE551BA, PE561BA, PE597BA, IRFZ46N, PE5B5DX, PE5B7BA, PE5C6JZ, PE5E6BA, PE5F7EA, PE5G5EA, PE5M6EA, PE5Q8JZ