Справочник MOSFET. PE5B1DZ

 

PE5B1DZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PE5B1DZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 69 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 198 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3S
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PE5B1DZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:291K  niko-sem
 pe5b1dz.pdf pdf_icon

PE5B1DZ

Dual P-Channel Enhancement Mode PE5B1DZ NIKO-SEM PDFN 3x3S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 16m -37A Features Patent Pending. Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Applications Protection Circuits Application

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NCE60R360

 

 
Back to Top

 


 
.