PE5B5DX Todos los transistores

 

PE5B5DX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PE5B5DX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 179 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

PE5B5DX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:405K  niko-sem
 pe5b5dx.pdf pdf_icon

PE5B5DX

Dual P-Channel Enhancement PE5B5DX NIKO-SEM PDFN 3x3P Mode Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 20m -30A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Applications

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History: IPB60R099P7 | CHM41A2PAGP | UPA1770G | CJK3400AH | VN2110 | IRFPG50PBF | IMW120R140M1H

 

 
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