PE5B5DX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PE5B5DX  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 179 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PE5B5DX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE5B5DX даташит

 ..1. Size:405K  niko-sem
 pe5b5dx.pdf pdf_icon

PE5B5DX

Dual P-Channel Enhancement PE5B5DX NIKO-SEM PDFN 3x3P Mode Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 20m -30A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Applications

Другие IGBT... PD6D2BA, PE527BA, PE532DX, PE533BA, PE551BA, PE561BA, PE597BA, PE5B1DZ, 2N60, PE5B7BA, PE5C6JZ, PE5E6BA, PE5F7EA, PE5G5EA, PE5M6EA, PE5Q8JZ, PE5V6BA