PE5B5DX - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PE5B5DX
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 179 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3P
Аналог (замена) для PE5B5DX
PE5B5DX технические параметры
pe5b5dx.pdf
Dual P-Channel Enhancement PE5B5DX NIKO-SEM PDFN 3x3P Mode Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 20m -30A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Applications
Другие MOSFET... PD6D2BA , PE527BA , PE532DX , PE533BA , PE551BA , PE561BA , PE597BA , PE5B1DZ , STP65NF06 , PE5B7BA , PE5C6JZ , PE5E6BA , PE5F7EA , PE5G5EA , PE5M6EA , PE5Q8JZ , PE5V6BA .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP90N03GD | AP85P04G | AP85N04Q | AP85N04K | AP85N04G | AP80P04K | AP80N06T | AP80N06H | AP80N06DH | AP7N10K | AP75N04K | AP70P03K | AP70N100K | AP6900 | AP6802 | AP6800
Popular searches
mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet


