PE5C6JZ Todos los transistores

 

PE5C6JZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PE5C6JZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 54 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 327 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3S
 

 Búsqueda de reemplazo de PE5C6JZ MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PE5C6JZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  niko-sem
 pe5c6jz.pdf pdf_icon

PE5C6JZ

Dual N-Channel Enhancement Mode PE5C6JZNIKO-SEM PDFN 3x3S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 24V 5.5m 54A Features Patent Pending. Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Loss

Otros transistores... PE532DX , PE533BA , PE551BA , PE561BA , PE597BA , PE5B1DZ , PE5B5DX , PE5B7BA , MMIS60R580P , PE5E6BA , PE5F7EA , PE5G5EA , PE5M6EA , PE5Q8JZ , PE5V6BA , PE609CA , PE674DT .

History: 2SK1206 | AO2301 | APT75F50B2 | STF40N20 | 2SK3822B | LSF65R180HT | AP04N20GK

 

 
Back to Top

 


 
.