Справочник MOSFET. PE5C6JZ

 

PE5C6JZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PE5C6JZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 327 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3S
 

 Аналог (замена) для PE5C6JZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE5C6JZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  niko-sem
 pe5c6jz.pdf pdf_icon

PE5C6JZ

Dual N-Channel Enhancement Mode PE5C6JZNIKO-SEM PDFN 3x3S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 24V 5.5m 54A Features Patent Pending. Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Loss

Другие MOSFET... PE532DX , PE533BA , PE551BA , PE561BA , PE597BA , PE5B1DZ , PE5B5DX , PE5B7BA , MMIS60R580P , PE5E6BA , PE5F7EA , PE5G5EA , PE5M6EA , PE5Q8JZ , PE5V6BA , PE609CA , PE674DT .

History: IPB037N06N3G | SI4410DYPBF | 2SK1476 | SIHFD9120 | SPE7N65G | AP4P052H | RQ1E050RPTR

 

 
Back to Top

 


 
.