PE5C6JZ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PE5C6JZ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 327 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3S

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PE5C6JZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE5C6JZ даташит

 ..1. Size:251K  niko-sem
 pe5c6jz.pdf pdf_icon

PE5C6JZ

Dual N-Channel Enhancement Mode PE5C6JZ NIKO-SEM PDFN 3x3S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 24V 5.5m 54A Features Patent Pending. Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Loss

Другие IGBT... PE532DX, PE533BA, PE551BA, PE561BA, PE597BA, PE5B1DZ, PE5B5DX, PE5B7BA, 7N60, PE5E6BA, PE5F7EA, PE5G5EA, PE5M6EA, PE5Q8JZ, PE5V6BA, PE609CA, PE674DT