PE5F7EA Todos los transistores

 

PE5F7EA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PE5F7EA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3P
 

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PE5F7EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  niko-sem
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PE5F7EA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PE5F7EA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 13.5m -35A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G.

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History: HM85N90 | AONS32100 | PNMT50V02E | FDMA6676PZ | P6015AT | 7N60L-TQ2-T | AFN04N60T220T

 

 
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