Справочник MOSFET. PE5F7EA

 

PE5F7EA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PE5F7EA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
 

 Аналог (замена) для PE5F7EA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE5F7EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  niko-sem
 pe5f7ea.pdf pdf_icon

PE5F7EA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PE5F7EA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 13.5m -35A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G.

Другие MOSFET... PE551BA , PE561BA , PE597BA , PE5B1DZ , PE5B5DX , PE5B7BA , PE5C6JZ , PE5E6BA , STP65NF06 , PE5G5EA , PE5M6EA , PE5Q8JZ , PE5V6BA , PE609CA , PE674DT , PE6A4BA , PE6A6BA .

History: ECH8304 | MTP5103J3 | PHU101NQ03LT | P6015AV | MTNN8452KQ8 | 19N10G-TMS2-T | CS8N120V

 

 
Back to Top

 


 
.