PE5F7EA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PE5F7EA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PE5F7EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE5F7EA даташит

 ..1. Size:323K  niko-sem
 pe5f7ea.pdf pdf_icon

PE5F7EA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PE5F7EA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 13.5m -35A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G.

Другие IGBT... PE551BA, PE561BA, PE597BA, PE5B1DZ, PE5B5DX, PE5B7BA, PE5C6JZ, PE5E6BA, AO4468, PE5G5EA, PE5M6EA, PE5Q8JZ, PE5V6BA, PE609CA, PE674DT, PE6A4BA, PE6A6BA