Справочник MOSFET. PE5F7EA

 

PE5F7EA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PE5F7EA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PE5F7EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  niko-sem
 pe5f7ea.pdf pdf_icon

PE5F7EA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PE5F7EA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 13.5m -35A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: LND08R055W3 | WMM26N65SR | 2SK2125 | FCP260N65S3 | NP48N055DHE | KF13N60N | SWN4N70D1

 

 
Back to Top

 


 
.