PE5G5EA Todos los transistores

 

PE5G5EA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PE5G5EA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 188 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3P
 

 Búsqueda de reemplazo de PE5G5EA MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PE5G5EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:402K  niko-sem
 pe5g5ea.pdf pdf_icon

PE5G5EA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PE5G5EA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 16m -30A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G. GA

Otros transistores... PE561BA , PE597BA , PE5B1DZ , PE5B5DX , PE5B7BA , PE5C6JZ , PE5E6BA , PE5F7EA , IRF1405 , PE5M6EA , PE5Q8JZ , PE5V6BA , PE609CA , PE674DT , PE6A4BA , PE6A6BA , PE6D2DX .

History: HGP068N15S | ELM17408GA

 

 
Back to Top

 


 
.