PE5G5EA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PE5G5EA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 188 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3P
Аналог (замена) для PE5G5EA
PE5G5EA Datasheet (PDF)
pe5g5ea.pdf

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PE5G5EA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 16m -30A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G. GA
Другие MOSFET... PE561BA , PE597BA , PE5B1DZ , PE5B5DX , PE5B7BA , PE5C6JZ , PE5E6BA , PE5F7EA , IRF1405 , PE5M6EA , PE5Q8JZ , PE5V6BA , PE609CA , PE674DT , PE6A4BA , PE6A6BA , PE6D2DX .
History: SVS7N60FJD2 | IXFT21N50Q | RU20P7C-I | BRCS010N04SZC | IRFZ34NS | BUK6C1R5-40C | BUK7605-30A
History: SVS7N60FJD2 | IXFT21N50Q | RU20P7C-I | BRCS010N04SZC | IRFZ34NS | BUK6C1R5-40C | BUK7605-30A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor