PE5G5EA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PE5G5EA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 188 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PE5G5EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE5G5EA даташит

 ..1. Size:402K  niko-sem
 pe5g5ea.pdf pdf_icon

PE5G5EA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PE5G5EA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 16m -30A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G. GA

Другие IGBT... PE561BA, PE597BA, PE5B1DZ, PE5B5DX, PE5B7BA, PE5C6JZ, PE5E6BA, PE5F7EA, FTP08N06A, PE5M6EA, PE5Q8JZ, PE5V6BA, PE609CA, PE674DT, PE6A4BA, PE6A6BA, PE6D2DX