PE5Q8JZ Todos los transistores

 

PE5Q8JZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PE5Q8JZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 555 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3S
     - Selección de transistores por parámetros

 

PE5Q8JZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:486K  niko-sem
 pe5q8jz.pdf pdf_icon

PE5Q8JZ

Dual N-Channel Enhancement Mode PE5Q8JZ NIKO-SEM PDFN 3x3S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 12V 4.5m 55A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products In

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History: NTB6410AN | SDF1NA60

 

 
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