PE5Q8JZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PE5Q8JZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 555 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3S

Аналог (замена) для PE5Q8JZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE5Q8JZ даташит

 ..1. Size:486K  niko-sem
 pe5q8jz.pdf pdf_icon

PE5Q8JZ

Dual N-Channel Enhancement Mode PE5Q8JZ NIKO-SEM PDFN 3x3S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 12V 4.5m 55A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products In

Другие IGBT... PE5B1DZ, PE5B5DX, PE5B7BA, PE5C6JZ, PE5E6BA, PE5F7EA, PE5G5EA, PE5M6EA, IRF9640, PE5V6BA, PE609CA, PE674DT, PE6A4BA, PE6A6BA, PE6D2DX, PE6R8DX, PE6W2EA