Справочник MOSFET. PE5Q8JZ

 

PE5Q8JZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PE5Q8JZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 555 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3S
 

 Аналог (замена) для PE5Q8JZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE5Q8JZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:486K  niko-sem
 pe5q8jz.pdf pdf_icon

PE5Q8JZ

Dual N-Channel Enhancement Mode PE5Q8JZ NIKO-SEM PDFN 3x3S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 12V 4.5m 55A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products In

Другие MOSFET... PE5B1DZ , PE5B5DX , PE5B7BA , PE5C6JZ , PE5E6BA , PE5F7EA , PE5G5EA , PE5M6EA , AON7403 , PE5V6BA , PE609CA , PE674DT , PE6A4BA , PE6A6BA , PE6D2DX , PE6R8DX , PE6W2EA .

History: LNTR4003NLT1G | IXTK120N25P | STW75N60M6 | SSM6P15FU | SWN7N65K2 | HGP059N08A | STD100N03LT4

 

 
Back to Top

 


 
.