Справочник MOSFET. PE5Q8JZ

 

PE5Q8JZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PE5Q8JZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 555 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3S
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PE5Q8JZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:486K  niko-sem
 pe5q8jz.pdf pdf_icon

PE5Q8JZ

Dual N-Channel Enhancement Mode PE5Q8JZ NIKO-SEM PDFN 3x3S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 12V 4.5m 55A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products In

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AM30N06-39IE | HUFA76619D3 | 2SK2957 | HX2300 | CHM4282JGP | DH160P04D | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.