PE674DT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PE674DT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 129 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3S

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PE674DT datasheet

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PE674DT

Dual N-Channel Enhancement Mode PE674DT NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3S Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1 G1 Q2 30V 7m 39A 2,3,4 D1 5,6,7 S2 8 G2 Q1 30V 10.5m 31A 9 S1/D2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2 Q1 UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 30 V

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