PE674DT - аналоги и даташиты транзистора

 

PE674DT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PE674DT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 129 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3S
 

 Аналог (замена) для PE674DT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE674DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:424K  niko-sem
 pe674dt.pdf pdf_icon

PE674DT

Dual N-Channel Enhancement Mode PE674DT NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3S Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1 : G1 Q2 30V 7m 39A 2,3,4 : D1 5,6,7 : S2 8 : G2 Q1 30V 10.5m 31A 9 : S1/D2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2 Q1 UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 30 V

Другие MOSFET... PE5C6JZ , PE5E6BA , PE5F7EA , PE5G5EA , PE5M6EA , PE5Q8JZ , PE5V6BA , PE609CA , IRFZ48N , PE6A4BA , PE6A6BA , PE6D2DX , PE6R8DX , PE6W2EA , PE6W8DX , PE848DU , PE854DT .

 

 
Back to Top

 


 
.