PE674DT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PE674DT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 129 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3S

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PE674DT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE674DT даташит

 ..1. Size:424K  niko-sem
 pe674dt.pdf pdf_icon

PE674DT

Dual N-Channel Enhancement Mode PE674DT NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3S Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1 G1 Q2 30V 7m 39A 2,3,4 D1 5,6,7 S2 8 G2 Q1 30V 10.5m 31A 9 S1/D2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2 Q1 UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 30 V

Другие IGBT... PE5C6JZ, PE5E6BA, PE5F7EA, PE5G5EA, PE5M6EA, PE5Q8JZ, PE5V6BA, PE609CA, SI2302, PE6A4BA, PE6A6BA, PE6D2DX, PE6R8DX, PE6W2EA, PE6W8DX, PE848DU, PE854DT