PE6W2EA Todos los transistores

 

PE6W2EA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PE6W2EA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3P
 

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PE6W2EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  niko-sem
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PE6W2EA

N-Channel Enhancement Mode PE6W2EA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 18m 24A Features ESD Protected Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Gate Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

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History: ME55N06A-G | AP4501AGEM-HF | GP2M007A065XG | AP6N1R7CDT | SPI21N50C3 | NTMFS5C430N | VP3203N3

 

 
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