Справочник MOSFET. PE6W2EA

 

PE6W2EA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PE6W2EA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
 

 Аналог (замена) для PE6W2EA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE6W2EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  niko-sem
 pe6w2ea.pdf pdf_icon

PE6W2EA

N-Channel Enhancement Mode PE6W2EA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 18m 24A Features ESD Protected Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Gate Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Другие MOSFET... PE5Q8JZ , PE5V6BA , PE609CA , PE674DT , PE6A4BA , PE6A6BA , PE6D2DX , PE6R8DX , AO3407 , PE6W8DX , PE848DU , PE854DT , PE898BA , PE8A8BA , PE8B0BA , PE8C2BA , PE8D8BA .

History: AP4578GH-HF | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | 2SK3064 | GP1M012A060XX | NCE80T900F

 

 
Back to Top

 


 
.