PE6W2EA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PE6W2EA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

Аналог (замена) для PE6W2EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE6W2EA даташит

 ..1. Size:415K  niko-sem
 pe6w2ea.pdf pdf_icon

PE6W2EA

N-Channel Enhancement Mode PE6W2EA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 18m 24A Features ESD Protected Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Gate Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Другие IGBT... PE5Q8JZ, PE5V6BA, PE609CA, PE674DT, PE6A4BA, PE6A6BA, PE6D2DX, PE6R8DX, AO4407A, PE6W8DX, PE848DU, PE854DT, PE898BA, PE8A8BA, PE8B0BA, PE8C2BA, PE8D8BA