PE6W8DX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PE6W8DX
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3X3P
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PE6W8DX Datasheet (PDF)
pe6w8dx.pdf
Dual N-Channel Enhancement Mode PE6W8DX NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 40V 20m 20A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D1 D1 D2 D2 Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Ap
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Liste
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