Справочник MOSFET. PE6W8DX

 

PE6W8DX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PE6W8DX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PE6W8DX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:402K  niko-sem
 pe6w8dx.pdf pdf_icon

PE6W8DX

Dual N-Channel Enhancement Mode PE6W8DX NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 40V 20m 20A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D1 D1 D2 D2 Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Ap

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRFU9120N | WMJ38N60C2 | 3N212 | CEM4308 | AO6804A | UF640G-T2Q-R | IPD70R1K4P7S

 

 
Back to Top

 


 
.