PE6W8DX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PE6W8DX

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

Аналог (замена) для PE6W8DX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE6W8DX даташит

 ..1. Size:402K  niko-sem
 pe6w8dx.pdf pdf_icon

PE6W8DX

Dual N-Channel Enhancement Mode PE6W8DX NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 40V 20m 20A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D1 D1 D2 D2 Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Ap

Другие IGBT... PE5V6BA, PE609CA, PE674DT, PE6A4BA, PE6A6BA, PE6D2DX, PE6R8DX, PE6W2EA, 60N06, PE848DU, PE854DT, PE898BA, PE8A8BA, PE8B0BA, PE8C2BA, PE8D8BA, PECH1EU