PE848DU Todos los transistores

 

PE848DU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PE848DU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 294 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3.3X3.3S
     - Selección de transistores por parámetros

 

PE848DU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:954K  niko-sem
 pe848du.pdf pdf_icon

PE848DU

Dual N-Channel Enhancement Mode PE848DU NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3.3x3.3S Halogen-Free & Lead-Free 1. PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Q2 30V 5.8m 18A Q1 30V 4.2m 21A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switc

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History: STU5N62K3 | SSG4394N | AON6403 | HUF75623P3 | AON3806 | HUF75321S3ST | STS4DPF30L

 

 
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