PE848DU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PE848DU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 294 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: PDFN3.3X3.3S

Аналог (замена) для PE848DU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE848DU даташит

 ..1. Size:954K  niko-sem
 pe848du.pdf pdf_icon

PE848DU

Dual N-Channel Enhancement Mode PE848DU NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3.3x3.3S Halogen-Free & Lead-Free 1. PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Q2 30V 5.8m 18A Q1 30V 4.2m 21A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switc

Другие IGBT... PE609CA, PE674DT, PE6A4BA, PE6A6BA, PE6D2DX, PE6R8DX, PE6W2EA, PE6W8DX, IRFP064N, PE854DT, PE898BA, PE8A8BA, PE8B0BA, PE8C2BA, PE8D8BA, PECH1EU, PECJ1EU