PE848DU - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PE848DU
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 294 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
Тип корпуса: PDFN3.3X3.3S
Аналог (замена) для PE848DU
PE848DU Datasheet (PDF)
pe848du.pdf

Dual N-Channel Enhancement Mode PE848DU NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3.3x3.3S Halogen-Free & Lead-Free 1. PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Q2 30V 5.8m 18A Q1 30V 4.2m 21A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switc
Другие MOSFET... PE609CA , PE674DT , PE6A4BA , PE6A6BA , PE6D2DX , PE6R8DX , PE6W2EA , PE6W8DX , 5N50 , PE854DT , PE898BA , PE8A8BA , PE8B0BA , PE8C2BA , PE8D8BA , PECH1EU , PECJ1EU .
History: FQU3N60
History: FQU3N60



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent