PE848DU - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PE848DU
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 294 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
Тип корпуса: PDFN3.3X3.3S
Аналог (замена) для PE848DU
PE848DU Datasheet (PDF)
pe848du.pdf
Dual N-Channel Enhancement Mode PE848DU NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3.3x3.3S Halogen-Free & Lead-Free 1. PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Q2 30V 5.8m 18A Q1 30V 4.2m 21A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switc
Другие MOSFET... PE609CA , PE674DT , PE6A4BA , PE6A6BA , PE6D2DX , PE6R8DX , PE6W2EA , PE6W8DX , IRFP064N , PE854DT , PE898BA , PE8A8BA , PE8B0BA , PE8C2BA , PE8D8BA , PECH1EU , PECJ1EU .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent


