PE854DT Todos los transistores

 

PE854DT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PE854DT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 324 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3S
 

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PE854DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:561K  niko-sem
 pe854dt.pdf pdf_icon

PE854DT

Dual N-Channel Enhancement Mode PE854DT NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3S Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Q2 30V 6.5m 43A Q1 30V 8m 35A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. 100% UIS and Rg Tested. 1 : G

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History: VS4610AD | NP89N04NUK | ME95N03T | AO4800 | GM2302 | AON7518 | IPB77N06S2-12

 

 
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