Справочник MOSFET. PE854DT

 

PE854DT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PE854DT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 324 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3S
 

 Аналог (замена) для PE854DT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE854DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:561K  niko-sem
 pe854dt.pdf pdf_icon

PE854DT

Dual N-Channel Enhancement Mode PE854DT NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3S Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Q2 30V 6.5m 43A Q1 30V 8m 35A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. 100% UIS and Rg Tested. 1 : G

Другие MOSFET... PE674DT , PE6A4BA , PE6A6BA , PE6D2DX , PE6R8DX , PE6W2EA , PE6W8DX , PE848DU , IRFP064N , PE898BA , PE8A8BA , PE8B0BA , PE8C2BA , PE8D8BA , PECH1EU , PECJ1EU , PEE28BB .

History: PA406EM | VS4610AD | BRCS120N06SYM | 3N80G-TF3-T | P1850EF | 2SJ319S | DMN67D8LW

 

 
Back to Top

 


 
.