PE854DT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PE854DT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 324 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3S
Аналог (замена) для PE854DT
PE854DT Datasheet (PDF)
pe854dt.pdf

Dual N-Channel Enhancement Mode PE854DT NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3S Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Q2 30V 6.5m 43A Q1 30V 8m 35A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. 100% UIS and Rg Tested. 1 : G
Другие MOSFET... PE674DT , PE6A4BA , PE6A6BA , PE6D2DX , PE6R8DX , PE6W2EA , PE6W8DX , PE848DU , IRFP064N , PE898BA , PE8A8BA , PE8B0BA , PE8C2BA , PE8D8BA , PECH1EU , PECJ1EU , PEE28BB .
History: IXFT20N80P | 2SK3924-01L | AON7450
History: IXFT20N80P | 2SK3924-01L | AON7450



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640