PE854DT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PE854DT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 324 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3S

Аналог (замена) для PE854DT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE854DT даташит

 ..1. Size:561K  niko-sem
 pe854dt.pdf pdf_icon

PE854DT

Dual N-Channel Enhancement Mode PE854DT NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3S Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Q2 30V 6.5m 43A Q1 30V 8m 35A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. 100% UIS and Rg Tested. 1 G

Другие IGBT... PE674DT, PE6A4BA, PE6A6BA, PE6D2DX, PE6R8DX, PE6W2EA, PE6W8DX, PE848DU, AO4468, PE898BA, PE8A8BA, PE8B0BA, PE8C2BA, PE8D8BA, PECH1EU, PECJ1EU, PEE28BB