PE8C2BA Todos los transistores

 

PE8C2BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PE8C2BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3P
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PE8C2BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  niko-sem
 pe8c2ba.pdf pdf_icon

PE8C2BA

N-Channel Enhancement Mode PE8C2BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D40V 9.5m 33A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D D D DG.

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