PE8C2BA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PE8C2BA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3P

 Búsqueda de reemplazo de PE8C2BA MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PE8C2BA datasheet

 ..1. Size:403K  niko-sem
 pe8c2ba.pdf pdf_icon

PE8C2BA

N-Channel Enhancement Mode PE8C2BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 40V 9.5m 33A G Features S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D D D D G.

Otros transistores... PE6R8DX, PE6W2EA, PE6W8DX, PE848DU, PE854DT, PE898BA, PE8A8BA, PE8B0BA, IRF740, PE8D8BA, PECH1EU, PECJ1EU, PEE28BB, PEE50BB, PF515BM, PF5B3BA, PF5G3EA